- Maximum Operating Temperature :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- Gate-Emitter Leakage Current :
- Прикладные фильтры :
46 продукты
| ОБРАЗ | ЧАСТЬ №. | ЦЕНА | КОЛИЧЕСТВО | АКЦИИ | ПРОИЗВОДСТВО | ОПИСАНИЕ | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
20
В наличии
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 100A | IGBT Silicon Modules | Econo 3 | + 150 C | Array 7 | 1200 V | 100 A | ||||||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
19
В наличии
|
Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT-MODULE | IGBT Silicon Modules | Econo 3 | + 150 C | 5.15 W | 3-Phase | 1200 V | 2.1 V | 100 A | 100 nA | |||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
25
В наличии
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 600V 100A | IGBT Silicon Modules | Econo 3 | + 150 C | 335 W | Array 7 | 600 V | 1.9 V | 100 A | 100 nA | |||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
10
В наличии
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 100A | IGBT Silicon Modules | Econo 2 | + 125 C | Quad | 1200 V | 100 A | ||||||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
24
В наличии
|
Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP-1 | + 175 C | Bulk | 250 W | Dual | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | ||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
47
В наличии
|
Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SOT-227-4 | + 150 C | Bulk | 416 W | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 100 A | 500 nA | ||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
11
В наличии
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 100A | IGBT Silicon Modules | Econo 3 | + 125 C | 455 W | Hex | 1200 V | 2.15 V | 100 A | 400 nA | |||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
4
В наличии
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 100A | IGBT Silicon Modules | Econo 3 | + 150 C | 515 W | Hex | 1200 V | 2.2 V | 100 A | 100 nA | |||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
20
В наличии
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 600V 100A | IGBT Silicon Modules | EASY1B | + 150 C | Bulk | Quad | 600 V | 100 A | |||||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
22
В наличии
|
Microsemi | IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 -... | IGBT Silicon Modules | T-MAX-3 | + 150 C | 1.041 kW | Single | 600 V | 2.2 V | 100 A | +/- 100 nA | |||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
26
В наличии
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 100A | IGBT Silicon Modules | EASY2 | + 125 C | Bulk | Dual | 1200 V | 100 A | |||||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
7
В наличии
|
Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 100A 650V | IGBT Silicon Modules | + 150 C | 335 W | 650 V | 1.95 V | 100 A | 400 nA | |||||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
15
В наличии
|
Microsemi | IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 -... | IGBT Silicon Modules | ISOTOP-4 | + 150 C | 329 W | Single | 600 V | 2.2 V | 100 A | +/- 100 nA | |||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
3
В наличии
|
Microsemi | IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 -... | IGBT Silicon Modules | ISOTOP-4 | + 150 C | 329 W | Single | 600 V | 2.2 V | 100 A | +/- 100 nA | |||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
99
В наличии
|
Littelfuse | IGBT Modules 600V 75A Dual | IGBT Silicon Modules | Package S | + 150 C | Bulk | 250 W | Dual | 600 V | 1.45 V | 100 A | 400 nA | ||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
8
В наличии
|
Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 75A 3-PHASE | IGBT Silicon Modules | EconoPACK 3A | + 125 C | 500 W | Hex | 1200 V | 3.2 V | 100 A | 400 nA | |||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
160
В наличии
|
Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 75A DUAL | IGBT Silicon Modules | 34MM | + 125 C | 355 W | Dual | 600 V | 2.2 V | 100 A | 400 nA | |||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
20
В наличии
|
Infineon Technologies | IGBT Modules ECONO PACK 3 WITH FAST TRENCH | IGBT Silicon Modules | Econo 3 | + 150 C | 335 W | Hex | 600 V | 1.9 V | 100 A | 400 nA | |||
|
|
ПОСМОТРЕТЬ | Infineon Technologies | IGBT Modules | IGBT Silicon Modules | SmartPACK1 | + 150 C | 275 W | Sixpack | 650 V | 1.55 V | 100 A | 100 nA | ||||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
20
В наличии
|
IXYS | IGBT Modules XPT Single IGBT | IGBT Silicon Modules | SOT-227B-4 | + 150 C | Tube | 350 W | Single | 1200 V | 1.8 V | 100 A | 500 nA | ||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
48
В наличии
|
Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP1-12 | + 100 C | 250 W | Single | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | |||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
46
В наличии
|
Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SOT-227-4 | + 150 C | 416 W | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 100 A | 500 nA | |||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
10
В наличии
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 100A | IGBT Silicon Modules | Econo 3 | + 150 C | Hex | 1200 V | 100 A | ||||||
|
|
|
ПОСМОТРЕТЬ | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP6-P | + 100 C | 350 W | 3-Phase | 1.2 kV | 1.7 V | 100 A | 400 nA | ||||
|
|
|
ПОСМОТРЕТЬ | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP3-32 | + 100 C | 250 W | 3-Phase | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | ||||
|
|
|
ПОСМОТРЕТЬ | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP1-12 | + 100 C | 250 W | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | ||||
|
|
|
ПОСМОТРЕТЬ | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP6-P | + 100 C | 250 W | Triple Dual Common Source | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | ||||
|
|
|
ПОСМОТРЕТЬ | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP6-P | + 100 C | 350 W | Triple Dual Common Source | 1.2 kV | 1.7 V | 100 A | 400 nA | ||||
|
|
|
ПОСМОТРЕТЬ | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP3-32 | + 100 C | 250 W | Dual | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | ||||
|
|
|
ПОСМОТРЕТЬ | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP4 | + 125 C | 350 W | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 100 A | 400 nA |
Страница 1 / 2
