- Производство :
- Mounting Style :
- Maximum Operating Temperature :
- Прикладные фильтры :
18 продукты
ОБРАЗ | ЧАСТЬ №. | ЦЕНА | КОЛИЧЕСТВО | АКЦИИ | ПРОИЗВОДСТВО | ОПИСАНИЕ | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Output Power | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Gain | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
162
В наличии
|
STMicroelectronics | RF MOSFET Transistors RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz | SMD/SMT | M174 | + 150 C | Bulk | 150 W | Si | N-Channel | 125 V | 20 A | 15 dB at 175 MHz | |||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
343
В наличии
|
NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 150W | SMD/SMT | TO-270 WB EP | + 150 C | Reel | 150 W | Si | N-Channel | 110 V | 25 dB | ||||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
20
В наличии
|
MACOM | RF MOSFET Transistors 5-500MHz 150Watts 28Volt 10dB | SMD/SMT | Case 375-04 | + 150 C | Tray | 150 W | Si | N-Channel | 65 V | 26 A | 11.2 dB at 500 MHz | |||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
55
В наличии
|
MACOM | RF MOSFET Transistors 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB | SMD/SMT | Case 211-11 | + 150 C | Tray | 150 W | Si | N-Channel | 125 V | 16 A | 13 dB | |||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
38
В наличии
|
MACOM | RF MOSFET Transistors | Case 244-4 | + 150 C | Tray | 150 W | Si | N-Channel | 125 V | 16 A | 13 dB | ||||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
7
В наличии
|
Microsemi | RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) | + 150 C | Reel | 150 W | Si | N-Channel | 180 V | 16 A | 22 dB | |||||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
11
В наличии
|
Microsemi | RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) | + 150 C | Tray | 150 W | Si | N-Channel | 180 V | 16 A | 18 dB | |||||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
6
В наличии
|
Microsemi | RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) | + 150 C | Reel | 150 W | Si | N-Channel | 130 V | 20 A | 22 dB | |||||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
6
В наличии
|
Microsemi | RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Reel | 150 W | Si | N-Channel | 500 V | 14 A | 13 dB | |||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
9
В наличии
|
Microsemi | RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Reel | 150 W | Si | N-Channel | 500 V | 14 A | 13 dB | |||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
11
В наличии
|
Microsemi | RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) | + 150 C | 150 W | Si | N-Channel | 1 kV | 6.5 A | 13 dB | ||||||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
72
В наличии
|
MACOM | RF MOSFET Transistors Matched pair Transistors | SMD/SMT | Case 211-11 | + 200 C | 150 W | Si | N-Channel | 125 V | 16 A | 17 dB | ||||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
222
В наличии
|
MACOM | RF MOSFET Transistors 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB | SMD/SMT | Case 211-11 | + 150 C | Tray | 150 W | Si | N-Channel | 125 V | 16 A | 17 dB at 30 MHz | |||
|
ПОСМОТРЕТЬ | STMicroelectronics | RF MOSFET Transistors RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz | SMD/SMT | M174 | + 150 C | Bulk | 150 W | Si | N-Channel | 200 V | 20 A | 14.8 dB at 175 MHz | ||||
|
ПОСМОТРЕТЬ | MACOM | RF MOSFET Transistors 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB | SMD/SMT | Case 375-04 | + 150 C | Tray | 150 W | Si | N-Channel | 65 V | 16 A | 8 dB at 500 MHz | ||||
|
ПОСМОТРЕТЬ | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 150W | SMD/SMT | TO-272 WB EP | + 150 C | Reel | 150 W | Si | N-Channel | 110 V | 25 dB | |||||
|
ПОСМОТРЕТЬ | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 150W Latrl N-Ch SE Broadband MOS... | SMD/SMT | TO-272 WB EP | + 150 C | Reel | 150 W | Si | N-Channel | 110 V | 25 dB | |||||
|
ПОСМОТРЕТЬ | STMicroelectronics | RF MOSFET Transistors RF Power LdmoST 150W 20 dB 860MHz | SMD/SMT | M246 | + 150 C | Bulk | 150 W | Si | N-Channel | 80 V | 20 A | 20 dB at 860 MHz |
Страница 1 / 1