- Прикладные фильтры :
1 продукты
| ОБРАЗ | ЧАСТЬ №. | ЦЕНА | КОЛИЧЕСТВО | АКЦИИ | ПРОИЗВОДСТВО | ОПИСАНИЕ | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | Gain | Transistor Type | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
201
В наличии
|
MACOM | RF JFET Transistors DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT | SMD/SMT | SOIC | + 200 C | Tray | 11.6 W | GaN Si | N-Channel | 100 V | 2 mA | 3 mA | 16 dB | HEMT |
Страница 1 / 1
