- Производство :
- Maximum Operating Temperature :
- Packaging :
- Output Power :
- Pd - Power Dissipation :
- Technology :
- Id - Continuous Drain Current :
- Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage :
- Прикладные фильтры :
14 продукты
ОБРАЗ | ЧАСТЬ №. | ЦЕНА | КОЛИЧЕСТВО | АКЦИИ | ПРОИЗВОДСТВО | ОПИСАНИЕ | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Output Power | Pd - Power Dissipation | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | Gain | Transistor Type | Maximum Drain Gate Voltage | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
60
В наличии
|
Wolfspeed / Cree | RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt | SMD/SMT | Die | + 225 C | Gel Pack | 70 W | GaN SiC | N-Channel | 100 V | 6 A | - 10 V to + 2 V | 17 dB | HEMT | |||||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
100
В наличии
|
Qorvo | RF JFET Transistors DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21d... | Die | Gel Pack | GaN SiC | N-Channel | HEMT | ||||||||||||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
100
В наличии
|
Qorvo | RF JFET Transistors DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB | Die | Gel Pack | GaN SiC | N-Channel | HEMT | ||||||||||||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
150
В наличии
|
Qorvo | RF JFET Transistors DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm | SMD/SMT | Die | + 150 C | Waffle | 47.6 dBm | 53 W | GaN SiC | N-Channel | 32 V | 3.5 A | 19.3 dB | HEMT | 100 V | ||||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
200
В наличии
|
Qorvo | RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm | SMD/SMT | Die | + 150 C | Waffle | 41.6 dBm | 17 W | GaN SiC | N-Channel | 32 V | 820 mA | 18.2 dB | HEMT | 100 V | ||||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
100
В наличии
|
Qorvo | RF JFET Transistors DC-12GHz 70W 32V GaN P3dB @ 3GHz 48.6dBm | SMD/SMT | Die | + 150 C | Waffle | 48.6 dBm | 68 W | GaN SiC | N-Channel | 32 V | 4.2 A | 19.2 dB | HEMT | 100 V | ||||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
150
В наличии
|
Qorvo | RF JFET Transistors DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19d... | Die | Gel Pack | GaN SiC | N-Channel | HEMT | ||||||||||||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
80
В наличии
|
Wolfspeed / Cree | RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt | SMD/SMT | Die | - | Gel Pack | 75 W | 41.6 W | GaN | N-Channel | 150 V | 10 A | 150 V | 17 dB | HEMT | - | |||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
4
В наличии
|
Qorvo | RF JFET Transistors DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm | SMD/SMT | Die | + 150 C | Waffle | 46.4 dBm | 41 W | GaN SiC | N-Channel | 32 V | 2.5 A | 19.2 dB | HEMT | 100 V | ||||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
4
В наличии
|
Qorvo | RF JFET Transistors DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm | SMD/SMT | Die | + 150 C | Waffle | 44.5 dBm | 34.5 W | GaN SiC | N-Channel | 32 V | 1.7 A | 19.6 dB | HEMT | |||||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
100
В наличии
|
Qorvo | RF JFET Transistors DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz | Die | + 150 C | Tray | 4.2 W | GaAs | 8 V | 194 mA | - 12 V | 11 dB | pHEMT | |||||||
|
ПОСМОТРЕТЬ | Qorvo | RF JFET Transistors DC-14GHz 5W 32V GaN P3dB @ 3GHz 38.6dBm | SMD/SMT | Die | + 150 C | Waffle | 38.4 dBm | 10.5 W | GaN SiC | N-Channel | 32 V | 480 mA | 20.4 dB | HEMT | 100 V | |||||
|
ПОСМОТРЕТЬ | Qorvo | RF JFET Transistors DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18d... | Die | Gel Pack | GaN SiC | N-Channel | HEMT | |||||||||||||
|
ПОСМОТРЕТЬ | Qorvo | RF JFET Transistors DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19d... | Die | Gel Pack | GaN SiC | N-Channel | HEMT |
Страница 1 / 1