- Package / Case :
- Pd - Power Dissipation :
- Id - Continuous Drain Current :
- Прикладные фильтры :
3 продукты
ОБРАЗ | ЧАСТЬ №. | ЦЕНА | КОЛИЧЕСТВО | АКЦИИ | ПРОИЗВОДСТВО | ОПИСАНИЕ | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Output Power | Pd - Power Dissipation | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Gain | Transistor Type | Maximum Drain Gate Voltage | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
23
В наличии
|
Qorvo | RF JFET Transistors 2.5-2.7GHz 360W 48V Gain 22dB GaN | SMD/SMT | NI780-2 | + 85 C | Waffle | 364 W | 83.5 W | GaN SiC | N-Channel | 48 V | 360 mA | 22 dB | HEMT | 55 V | |||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
35
В наличии
|
Qorvo | RF JFET Transistors 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN | SMD/SMT | NI780-4 | + 85 C | Waffle | 36 W | 18.6 W | GaN SiC | N-Channel | 48 V | 210 mA | 16 dB | HEMT | 55 V | |||
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
13
В наличии
|
Qorvo | RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN | SMD/SMT | NI400-2 | + 85 C | Waffle | 180 W | 60.9 W | GaN SiC | N-Channel | 50 V | 360 mA | 22 dB | HEMT | 55 V |
Страница 1 / 1