- Производство :
- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Прикладные фильтры :
6 продукты
| ОБРАЗ | ЧАСТЬ №. | ЦЕНА | КОЛИЧЕСТВО | АКЦИИ | ПРОИЗВОДСТВО | ОПИСАНИЕ | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Output Power | Pd - Power Dissipation | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | Gain | Transistor Type | Maximum Drain Gate Voltage | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
708
В наличии
|
NXP / Freescale | RF JFET Transistors 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N | SMD/SMT | PLD-1.5 | + 150 C | Reel | GaAs | 15 V | 2.9 A | - 5 V | 10 dB | pHEMT | ||||||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
30
В наличии
|
Wolfspeed / Cree | RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt | Screw | 440210 | + 150 C | Tray | 50 W | - | GaN | N-Channel | 100 V | 6 A | 3 V | 10 dB | HEMT | - | ||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
560
В наличии
|
Broadcom / Avago | RF JFET Transistors Transistor GaAs High Frequency | SMD/SMT | SOT-363 | + 150 C | Bulk | 180 mW | GaAs | 3 V | 40 mA | - 3 V | 10 dB | pHEMT | |||||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
517
В наличии
|
Broadcom / Avago | RF JFET Transistors Transistor GaAs High Frequency | SMD/SMT | SOT-363 | + 150 C | Reel | 180 mW | GaAs | 3 V | 40 mA | - 3 V | 10 dB | pHEMT | |||||
|
|
|
ПОСМОТРЕТЬ | NXP / Freescale | RF JFET Transistors 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 | SMD/SMT | PLD-1.5 | + 85 C | Reel | GaAs | 8 V | 2.9 A | - 5 V | 10 dB | pHEMT | |||||||
|
|
|
ПОСМОТРЕТЬ | Broadcom / Avago | RF JFET Transistors Transistor GaAs High Frequency | SMD/SMT | SOT-363 | + 150 C | Reel | 180 mW | GaAs | 3 V | 40 mA | - 3 V | 10 dB | pHEMT |
Страница 1 / 1
