- Pd - Power Dissipation :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- Прикладные фильтры :
2 продукты
| ОБРАЗ | ЧАСТЬ №. | ЦЕНА | КОЛИЧЕСТВО | АКЦИИ | ПРОИЗВОДСТВО | ОПИСАНИЕ | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
5
В наличии
|
Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 1400A 1700V | IGBT Silicon Modules | + 150 C | 9.55 kW | 1700 V | 2.2 V | 1400 A | 400 nA | ||||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
2
В наличии
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 1.4KA | IGBT Silicon Modules | PRIME3 | + 150 C | 7.65 kW | Dual | 1200 V | 2.05 V | 1400 A | 400 nA |
Страница 1 / 1
