- Gate-Emitter Leakage Current :
- Прикладные фильтры :
2 продукты
| ОБРАЗ | ЧАСТЬ №. | ЦЕНА | КОЛИЧЕСТВО | АКЦИИ | ПРОИЗВОДСТВО | ОПИСАНИЕ | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
12
В наличии
|
Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SOT-227-4 | + 150 C | 378 W | Single | 600 V | 2.1 V | 93 A | 100 nA | ||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
49
В наличии
|
Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SOT-227-4 | + 150 C | 378 W | Single | 600 V | 2.1 V | 93 A | +/- 100 nA |
Страница 1 / 1
