- Производство :
- Vf - Forward Voltage :
- Packaging :
- Wavelength :
- Radiant Intensity :
- Beam Angle :
- Прикладные фильтры :
9 продукты
| ОБРАЗ | ЧАСТЬ №. | ЦЕНА | КОЛИЧЕСТВО | АКЦИИ | ПРОИЗВОДСТВО | ОПИСАНИЕ | Vf - Forward Voltage | Series | Packaging | If - Forward Current | Power Rating | Wavelength | Radiant Intensity | Beam Angle | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
5,785
В наличии
|
LED Engin | Infrared Emitters - High Power Infrared 940nm Dual Junction | 3.2 V | Reel | 1000 mA | 3.2 W | 940 nm | - | 90 deg | |||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
1,728
В наличии
|
OSRAM Opto Semiconductors | Infrared Emitters - High Power Infrared 850nm 150 deg beam angle | 1.65 V | Reel | 1000 mA | 2.1 W | 850 nm | 170 mW/sr | 75 deg | |||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
885
В наличии
|
LED Engin | Infrared Emitters - High Power Infrared - 850nm | 1.9 V | Cut Tape | 1000 mA | 1.9 W | 850 nm | 90 deg | ||||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
407
В наличии
|
LED Engin | Infrared Emitters - High Power Infrared 940nm Dual Junction | 3.2 V | Tray | 1000 mA | 3.2 W | 940 nm | - | 90 deg | |||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
179
В наличии
|
LED Engin | Infrared Emitters - High Power Infrared 850nm | 2 V | LZ1 | Tray | 1000 mA | 5 W | 850 nm | 90 deg | |||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
48
В наличии
|
LED Engin | Infrared Emitters - High Power Infrared 850nm | 1.9 V | Tray | 1000 mA | 1.9 W | 850 nm | 90 deg | ||||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
980
В наличии
|
LED Engin | Infrared Emitters - High Power Infrared 850nm Dual Junction | 3.2 V | Tray | 1000 mA | 3.2 W | 850 nm | - | 90 deg | |||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
81
В наличии
|
LED Engin | Infrared Emitters - High Power Infrared 850nm Dual Junction | 3.2 V | Reel | 1000 mA | 3.2 W | 850 nm | - | 90 deg | |||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
53
В наличии
|
OSRAM Opto Semiconductors | Infrared Emitters - High Power IR, 850nm | 15.5 V | Tray | 1000 mA | 19 W | 850 nm | 1400 mW/sr | 60 deg |
Страница 1 / 1
