- Производство :
- If - Forward Current :
- Power Rating :
- Wavelength :
- Radiant Intensity :
- Beam Angle :
- Прикладные фильтры :
9 продукты
| ОБРАЗ | ЧАСТЬ №. | ЦЕНА | КОЛИЧЕСТВО | АКЦИИ | ПРОИЗВОДСТВО | ОПИСАНИЕ | Vf - Forward Voltage | Packaging | If - Forward Current | Power Rating | Wavelength | Radiant Intensity | Beam Angle | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
5,785
В наличии
|
LED Engin | Infrared Emitters - High Power Infrared 940nm Dual Junction | 3.2 V | Reel | 1000 mA | 3.2 W | 940 nm | - | 90 deg | ||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
20,670
В наличии
|
OSRAM Opto Semiconductors | Infrared Emitters - High Power IR 850nm, 90deg | 3.2 V | Reel | 1500 mA | 5.8 W | 850 nm | 780 mW/sr | |||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
2,653
В наличии
|
OSRAM Opto Semiconductors | Infrared Emitters - High Power Infrared SYNIOS | 3.2 V | Reel | 1 A | 5800 mW | 850 nm | 370 mW/sr | 120 deg | ||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
2,346
В наличии
|
OSRAM Opto Semiconductors | Infrared Emitters - High Power IR 850nm, 150deg | 3.2 V | Reel | 1500 mA | 5.8 W | 850 nm | 300 mW/sr | |||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
407
В наличии
|
LED Engin | Infrared Emitters - High Power Infrared 940nm Dual Junction | 3.2 V | Tray | 1000 mA | 3.2 W | 940 nm | - | 90 deg | ||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
600
В наличии
|
OSRAM Opto Semiconductors | Infrared Emitters - High Power Infrared IR OSLONblack-series | 3.2 V | Reel | 1 A | 5.8 W | 850 nm | 300 mW/sr | 150 deg | ||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
2,000
В наличии
|
OSRAM Opto Semiconductors | Infrared Emitters - High Power Infrared SYNIOS | 3.2 V | Reel | 1 A | 5800 mW | 850 nm | 370 mW/sr | 120 deg | ||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
980
В наличии
|
LED Engin | Infrared Emitters - High Power Infrared 850nm Dual Junction | 3.2 V | Tray | 1000 mA | 3.2 W | 850 nm | - | 90 deg | ||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
81
В наличии
|
LED Engin | Infrared Emitters - High Power Infrared 850nm Dual Junction | 3.2 V | Reel | 1000 mA | 3.2 W | 850 nm | - | 90 deg |
Страница 1 / 1
